常见元件

电阻

电阻把电压变成电流，或把电流变成电压。板上最常见，也最容易因为功率和精度被忽略。

电容

电容抗的是电压变化。去耦、滤波、谐振、隔直都靠它，但标称 10 µF 在偏压下可能只剩 3 µF。

电感

电感抗的是电流变化。开关电源靠它储能，EMI 滤波靠它挡谐波。

• 饱和电流 Isat：峰值电流超过后电感量迅速下降，纹波和损耗一起恶化。
• 温升电流 Irms：平均电流决定发热。
• DCR：铜损；SRF：超过自谐后不再像电感。

布局上，开关节点到电感的铜皮要短，磁芯开口方向避开敏感模拟和天线。

磁珠

磁珠在目标频段呈现电阻性阻抗，把高频能量变成热。它不是用来储能的电感。

• 看阻抗-频率曲线，选 100 MHz 附近的阻抗，而不是只看“600 Ω”。
• 直流偏置会把阻抗打下来，电源轨要按实际电流选规格。
• 和电容组成滤波时，注意不要和开关电源反馈形成振荡。

二极管

三极管 BJT

基极电流控制集电极电流。适合小信号放大、低边开关、带隙和一些模拟前端。

• β（hFE）离散大，设计不要卡典型值。
• 饱和时 Vce(sat) 仍有压降，功耗是 Vce × Ic。
• 关断要给基极放电通路，否则开关会拖尾。

大电流开关多数情况改 MOSFET 更合适：驱动是电压而不是持续基极电流。

MOSFET

栅源电压控制导电沟道。N 沟常用作低边开关，高边要用自举或电荷泵，P 沟可作简单高边但 Rds(on) 往往更大。

IGBT

绝缘栅双极晶体管：MOS 输入、BJT 输出。适合数百伏以上、电流较大、开关频率不极高的场合（变频器、焊机、部分 PFC）。

• 导通压降 Vce(sat) 近似恒定，高压大电流时可能比 MOSFET 更省导通损耗。
• 关断有拖尾电流，开关频率通常低于同类 MOSFET。
• 驱动仍是栅极电压，但要处理米勒平台和负压关断。

低压大电流（比如 12 V / 48 V 电机）优先 MOSFET；电网电压等级再认真评估 IGBT 模块。

运算放大器

高增益电压放大器，靠负反馈定义传递函数。选错带宽或输出特性，电路会振荡或饱和。

• GBP：闭环增益越高，可用带宽越窄。
• 偏置电流与失调：高阻网络和直流精度。
• 轨到轨：输入能否包含地或电源，输出能否拉到轨。
• 容性负载：长线和 ADC 输入容易让输出级振荡，要隔离电阻。

比较器不是运放。开环当比较器用，恢复时间和饱和会拖慢，也缺少推挽或开漏的明确输出。

LDO

线性稳压把多余电压变成热。安静、简单，但压差×电流就是功耗。

• Dropout：输入必须高出输出多少才能稳压。
• PSRR：电源噪声能抑制多少，射频和 ADC 参考很在意。
• 输出电容：很多 LDO 要求特定 ESR 范围，聚合物和 MLCC 不一定都能稳。

大压差或大电流改开关电源，后面再跟 LDO 给模拟供电，是常见干净做法。电源设计 →

晶振

无源晶振要配负载电容和合适的驱动电平；有源晶振自带振荡器，输出时钟，功耗和 EMI 更大。

• CL：两个对地电容的串联近似等于负载电容（再减去引脚和走线电容）。
• ESR：过大可能不起振，尤其是低功耗 MCU 的低驱动挡。
• 布局：紧贴芯片，远离开关电源和天线，地回流短。

TVS / ESD 器件

把浪涌和静电钳到芯片能承受的电压。放错位置或结电容过大，高速口会直接挂。

保险丝、NTC、压敏、气体放电管是另一类能量路径，和 TVS 经常分级配合，而不是互相替代。常见电路 →